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HBM明年多(duo)余？DRAM下行周期到哪(na)了？高盛详解芯片核心议题,市场,供给,CoWoS
HBM作为一种用于高功能较量争论和(he)AI应用的枢纽存储技术(shu)，比年来需求量大幅增加。投资者开始(shi)担忧，HBM大概正(zheng)在(zai)2025年出现供给多(duo)余，而(er)DRAM周期性下行的风险加剧(ju)。
针(zhen)对这类顾虑，高盛正(zheng)在(zai)16日公布的最新研(yan)报中指出，这类担忧大概为时尚(shang)早。报告强调(diao)，全球主要云较量争论公司仍正(zheng)在(zai)没有断增加对存储装备的投资，供给多(duo)余的情况没有太大概发生。此外，先辈封装技术(shu)（如CoWoS）的进展，以及(ji)以及(ji)主要客户对HBM供给紧(jin)张的预期，都将推动HBM的需求增长(chang)。
同时，供给商的库存绝对康健，DRAM市场仍有望正(zheng)在(zai)未来几个季度内经历一次中周期库存调(diao)解。
HBM市场供没有应求，DRAM周期存争议
投资者的关注点继续会合正(zheng)在(zai)HBM市场上，人们越来越忧郁，最早明年就会开始(shi)出现供给多(duo)余的情况。
对此，高盛表(biao)示，这类情况没有太大概发生，主要缘故原由是现在(zai)超大范围企业继续正(zheng)在(zai)全球云较量争论领域持续付(fu)出，CoWoS产能微弱增长(chang)。
报告中还指出，现在(zai)主要的HBM供给商正(zheng)在(zai)提升临盆良率(lu)方面面对挑战，这意味着(zhe)短时间内很难疾速增加供给。
因此，高盛认为HBM明年将供没有应求，特别(bie)是SK海力士凭借(jie)其正(zheng)在(zai)AI内存市场中的抢先地位，2025年之(zhi)前供需仍将连结紧(jin)张，继续成(cheng)为投资者的首(shou)选(xuan)。
相比HBM市场，DRAM市场的远景则显得越发庞大。一部分投资者认为，跟着(zhe)库存水平的升高和(he)其他国度供给的增加，DRAM大概会进入一个较长(chang)的下行周期。
但高盛对此持谨慎悲观立场。认为只管客户库存水平较高，但供给商的库存绝对康健，市场仍有望正(zheng)在(zai)未来几个季度内经历一次中周期库存调(diao)解。
此外，HBM的微弱需求也大概对DRAM市场产生正(zheng)面影响(xiang)。因此，固然短时间内市场颠簸没有可避免，但高盛认为DRAM市场没有会出现大幅度的下行。
三星电子：低估值吸收投资者
作为全球存储芯片的巨子之(zhi)一，三星电子的股价表(biao)现比年来受到广泛关注。
报告指出，只管三星电子股价近期有所下滑，但其当前的估值水平已靠近1被市盈率(lu)的历史(shi)低位，吸收了众多(duo)投资者的兴趣。
大多(duo)半(ban)投资者认为，三星电子的股价下行空(kong)间有限，但是，短时间内缺少显着(zhe)的股价下跌催化剂。
投资者特别(bie)关注三星电子即将公布的第三季度财报，期待其中能透露更多(duo)关于未来市场走向的旌(jing)旗灯号。
SK海力士：HBM市场中的微弱表(biao)现
与三星电子相比，SK海力士的表(biao)现则越发受到投资者的青睐。报告指出，SK海力士凭借(jie)其正(zheng)在(zai)HBM市场的抢先地位，继续吸收投资者的主动关注。
大多(duo)半(ban)投资者认为，HBM市场正(zheng)在(zai)2025年之(zhi)前仍将处于供没有应求的状态，这为SK海力士带来了微弱的增长(chang)预期。
报告中还提到，SK海力士的未来增长(chang)潜力还来自于其计划中的M15X晶圆(yuan)厂扶植，预计该工场将正(zheng)在(zai)明年完成(cheng)，这将进一步提升其HBM的临盆能力。
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