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英飞凌申请具有可熔密封(feng)剂区(qu)的(de)半导体模块(kuai)专利，转变绝缘密封(feng)剂提升模块(kuai)性能,功率,载体,电子

金(jin)融界(jie)2024年12月5日音讯(xun)，国家(jia)知识产权局信息显示，英飞凌科技股份无限公司申请一(yi)项名为“具有可熔密封(feng)剂区(qu)的(de)半导体模块(kuai)”的(de)专利，公开号 CN 119069429 A，申请日期为 2024 年 5 月。

专利择要显示，本公开内容涉及具有可熔密封(feng)剂区(qu)的(de)半导体模块(kuai)。一(yi)种半导体模块(kuai)包括：功率电子载体，所述(shu)功率电子载体包括设(she)置正(zheng)在(zai)电绝缘衬(chen)底上的(de)金(jin)属(shu)化层(ceng)；安(an)装正(zheng)在(zai)功率电子载体上的(de)功率半导体管芯(xin)；围(wei)绕功率电子载体上方的(de)内部体积的(de)壳体；以及内部体积内的(de)密封(feng)功率半导体管芯(xin)的(de)电绝缘密封(feng)剂，其中，电绝缘密封(feng)剂被(bei)设(she)置为正(zheng)在(zai)功率半导体管芯(xin)的(de)操作时代转变，使得电绝缘密封(feng)剂的(de)液化包封(feng)体围(wei)绕功率半导体管芯(xin)，并且使得电绝缘密封(feng)剂的(de)固体内部地区(qu)围(wei)绕液化包封(feng)体。

来源：金(jin)融界(jie)