光(guang)智科技申(shen)请一种碲镉汞芯(xin)片前道工艺处理方法专利，有效(xiao)提高碲镉汞芯(xin)片良率,表面,基材,pn
金融界(jie)2024年12月5日消(xiao)息，国(guo)家知识产权局信息显(xian)示，安徽光(guang)智科技有限公司(si)申(shen)请一项名为“一种碲镉汞芯(xin)片前道工艺处理方法”的专利，公开号 CN 119069578 A，申(shen)请日期为2024年9月。
专利摘要显(xian)示，本申(shen)请公开了一种碲
镉汞芯(xin)片前道工艺处理方法，涉及
半导体加(jia)工技术领域，包括步骤：
对芯(xin)片基材进行预处理，其中芯(xin)片
基材包括自下而上设置的碲锌镉
衬(chen)底层以及晶(jing)体层；在晶(jing)体层表面
自下而上制备碲化镉层以及硫化
锌层；在晶(jing)体层表面制备pn结；在
芯(xin)片基材的表面制备与pn结一一
对应的通(tong)道，用于一一对应将pn结
暴露出来；将制备的通(tong)道金属化，
并在金属化的通(tong)道表面制备铟(yin)材
料层。该(gai)工艺方法设计能够减少芯(xin)
片基材表面漏电(dian)流，能够避(bi)免电(dian)子
被激发而影响材料表面性能，能够
降(jiang)低芯(xin)片基材表面复合速率，减小或去除其对测试寿(shou)命值的影
响，有效(xiao)提高碲镉汞芯(xin)片良率，以提升芯(xin)片的利用率。
来源：金融界(jie)